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NTD5C668NL	文件：180.32 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 60 V, 8.9 m, 48 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5C668NLT4G	文件：180.32 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 60 V, 8.9 m, 48 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5C668NL	文件：90.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5C668NL	文件：330.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=49A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVMFD5C668NL	文件：230.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,DualN-Channel60V,6.5m,68A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFD5C668NLWF−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Freean	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

更多NTD5C668NL供应商更新时间2024-6-8 15:00:00