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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NTD5865NLT4G | 60V N -Channel MOSFET Features LowGateCharge FastSwitching HighCurrentCapability • VDS(V)=60V ID=46A(VGS=10V) RDS(ON) | UMWUMW 友台友台半导体 | UMW | |
NTD5865NLT4G | N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m廓 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NTD5865NLT4G | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
NTD5865NLT4G | N-Channel Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SingleN?묬hannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET60V,46A,16m,SingleN?묬hannel | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
详细参数
- 型号：
NTD5865NLT4G
- 功能描述：
MOSFET Single N-CH 60V 40A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
DPAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
12500 |
询价 | |||||
ON |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-252 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT23 |
2500 |
询价 | |||
ON |
20+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-252 |
2500 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
ON |
20+ |
SOT252 |
21112 |
全新原装,价格优势 |
询价 | ||
Onsemi |
22+ |
NA |
50000 |
100%原装正品现货,现货型号众多加QQ咨询 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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- NTE1205MC
- NTE1205MC-R
- NTE1209MC
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