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NTD5807NT4G中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
NTD5807NT4G
- 功能描述：
MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
TO252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
63258 |
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询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
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询价 | ||
ON |
TO-252 |
21+ |
50000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ONS |
2018+ |
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询价 | |||
ON |
2018+ |
TO-252 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
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ON/ON Semiconductor/安森美/安 |
21+ |
TO252 |
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询价 |
