选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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23073 |
22+ |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
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终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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ON-安森美TO-251-3 |
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NTD4909NA-1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4909NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube