| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
19876 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
24144 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONTO252 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
35500 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
1189 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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ON/安森美TO-252 |
22000 |
23+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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ONTO-252 |
87705 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ONTO-252 |
10000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO252 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONDPAK3W |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-252 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONTO252-3 |
15000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONTO-252 |
5000 |
22+ |
全新原装现货!自家库存! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
45 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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ON/安森美TO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
NTD4806采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD4806图片
NTD4806NT4G价格
NTD4806NT4G价格：￥1.5076品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTD4806NT4G多少钱，想知道NTD4806NT4G价格是多少？参考价：￥1.5076。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTD4806NT4G批发价格及采购报价，NTD4806NT4G销售排行榜及行情走势，NTD4806NT4G报价。
NTD4806NT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4806N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4806N-1G功能描述:MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4806N-1H制造商:ON Semiconductor
NTD4806N-35G功能描述:MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4806NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4806NA-35G功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4806NAT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4806NT4G功能描述:MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
