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NTBG030N120M3S	文件：232.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL030N120M3S	文件：316.14 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,29mohm,1200V,M3S,TO-247-3L Features Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) 100AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG030N120M3S	文件：233.32 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,29mohm,1200V,M3S,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(on	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

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