| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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1800 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美D2PAK3LEAD |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ONTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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ONSOT-263 |
32500 |
1709+ |
普通 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSD2PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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ON/安森美TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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OND2PAK |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美D2PAK |
48000 |
2022+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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OND2PAK |
37650 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
38000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
NTB75N06L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTB75N06L图片
NTB75N06L中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB75N06L功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTB75N06LG功能描述:MOSFET NFET 60V .012R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06LT4功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTB75N06LT4G功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
