| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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ONN |
610 |
1535+ |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ONTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市海天鸿电子科技有限公司5年
留言
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ON? |
7500 |
1716+ |
只做原装进口,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ON |
77 |
11+ |
原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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ON最新 |
13185 |
原装正品 现货供应 价格优 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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ONSEMICONDU原装进口原厂原包接受订货 |
650 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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ONSOT-263 |
32500 |
1709+ |
普通 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-263 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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ON/安森美TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-263 |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
NTB30N06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTB30N06图片
NTB30N06中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB30N06制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220
NTB30N06G功能描述:MOSFET NFET 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06L功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LG功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LT4功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06T4功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06T4G功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
