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NTB25P06	文件：56.24 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB25P06	文件：135.04 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB25P06G	文件：56.24 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB25P06T4	文件：56.24 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB25P06T4G	文件：56.24 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB25P06T4G	文件：1.58462 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
C25P06Q	文件：65.89 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HM25P06D	文件：836.3 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM25P06K	文件：1.039319 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LMD25P06A	文件：1.26102 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTB25P06FP	文件：346.04 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH25P06	文件：141.53 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH25P06	文件：293.68 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM25P06	文件：286.1 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVB25P06	文件：135.04 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SSD25P06	文件：709.7 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TS25P06G	文件：262.47 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS25P06G	文件：211.21 Kbytes Page：4 Pages	25A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS25P06G	文件：115.58 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase25.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS25P06G	文件：338.53 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase25.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
NTB25P06
功能描述：
MOSFET -60V -27.5A Pchannel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTB25P06供应商更新时间2024-6-8 9:02:00

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