NSVF6003SB6T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
NSVF6003SB6T1G
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
95000
产品封装：
原厂封装
生产批号：
2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-6 17:57:00

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原厂料号：NSVF6003SB6T1G品牌：onsemi

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NSVF6003SB6T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi生产封装原厂封装/SOT-23-6 细型，TSOT-23-6的NSVF6003SB6T1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NSVF6003SB6T1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
6 页
文件大小：
690.05 kb
资料说明：
RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSVF6003SB6T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-CPH
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

供应商

企业：
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
肖先生/欧阳小姐
手机：
13670052109/17820397287
询价：
电话：
0755-36972287/0755-36972287
传真：
0755-83950482
地址：
深圳市福田区赛格科技园四栋西//香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1806室

NSVF6003SB6T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

NSVF6003SB6T1G

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