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NSVDTA143EM3T5G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

NSVDTA143EM3T5G
厂商型号

NSVDTA143EM3T5G

参数属性

NSVDTA143EM3T5G 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

文件大小

108.62 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 9:56:00

NSVDTA143EM3T5G规格书详情

NSVDTA143EM3T5G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的NSVDTA143EM3T5G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    NSVDTA143EM3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2021
N/A
6000
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onsemi(安森美)
21+
-
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