首页>NSVBC850BLT1G>规格书详情
NSVBC850BLT1G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
![NSVBC850BLT1G](https://img.114ic.com/dgk/Renders/On%20Semi%20Renders/SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3.jpg)
厂商型号 |
NSVBC850BLT1G |
参数属性 | NSVBC850BLT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | General Purpose Transistors |
文件大小 |
113.71 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 22:59:00 |
相关芯片规格书
更多NSVBC850BLT1G规格书详情
NSVBC850BLT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的NSVBC850BLT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
NSVBC850BLT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23(TO-236) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT23 |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 (TO-236) |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
3000 |
可订货,请确认 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
3000 |
可订货,请确认 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
10000 |
绝对全新原装现货热卖 |
询价 | ||
ONSEMI |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 |