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NST489AMT1G	文件：65.51 Kbytes Page：4 Pages	High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NST489AMT1G	文件：144.82 Kbytes Page：4 Pages	High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NST489AMT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2A 6TSOP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NST489AMT1	文件：144.82 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentSurfaceMountNPNSiliconLowVCE(sat)SwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NST489AMT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TRANS NPN 30V 2A 6TSOP

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