选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
12000 |
21+ |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT563 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
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onsemi(安森美)SOT-563-6 |
3109 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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ON/安森美21+ |
600000 |
SOT-463 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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ONSOT-363 |
32000 |
有挂就有正品原装 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT563-6 |
16000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-563-6 |
32000 |
21+ |
全新原装正品现货实单价可谈 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INTEL车规-晶体管 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT-563-6 |
64000 |
23+ |
原装现货 力挺实单 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiSOT-563,SOT-666 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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ON?SOT-563-6 |
64000 |
22+ |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-563 |
6547 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT563 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT363 |
27520 |
16+ |
进口原盘现货/4K |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-563 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-563 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ONSOT363 |
3786 |
16+ |
一片起订!原装低价支持实单! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ONSOT-563 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSOT-563 |
200 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
NST3904DXV6T采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NST3904DXV6T图片
NST3904DXV6T1G价格
NST3904DXV6T1G价格:¥0.3360品牌:ONSemi
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更多NST3904DXV6T制造商:ON Semiconductor
NST3904DXV6T1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
NST3904DXV6T1/D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
NST3904DXV6T1_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
NST3904DXV6T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
NST3904DXV6T5功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
NST3904DXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2