首页 >NSS60600MZ4T1G>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

NSS60600MZ4T1G

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS60600MZ4T1G

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS60600MZ4T1G

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS60600MZ4T1G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 6A SOT223

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSV60600MZ4T1G

PNPTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSV60600MZ4T1G

60V,6.0A,LowVCE(sat)PNPTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    NSS60600MZ4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 6A SOT223

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
23+
SOT-223
9000
全新原装假一赔十
询价
ON
2220+
SOT-223
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
询价
ON/安森美
2019+
SOT-223
78550
原厂渠道 可含税出货
询价
ON/安森美
21+
NA
26000
只做原装,假一罚十
询价
ON
2134
SOT-223
4000
全新原装公司现货
询价
ON
20+
SOT223
13746
只做进口原装现货深圳
询价
Onsemi
20+
N/A
2000
确保原装现货,实单价格支持!
询价
ON/安森美
2024+实力库存
SOT-223
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
原装ON
21+
SOT223
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
onsemi/安森美
22+
原装封装
30000
品质保证,信誉至上
询价
更多NSS60600MZ4T1G供应商 更新时间2024-6-10 22:51:00