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NSCT2907ALT1G	文件：109.39 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSCT2907ALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT2907ALT1	文件：230.47 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT2907ALT1	文件：39.69 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
MMBT2907ALT1	文件：247.41 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors PNPSiliconGeneralPurposeTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT2907ALT1	文件：118.12 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransisters PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907ALT1	文件：192.86 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT2907ALT1	文件：41.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT2907ALT1isdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage. •HighSpeedSwitching. •ForComplementaryUseWithNPNTypeHMBT2222A. AbsoluteMaximumRatings	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT2907ALT1	文件：535.04 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon •RoHSproductforpackingcodesuffixG,Weight:0.008g •HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH.	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT2907ALT1	文件：437.9 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR竊늁NP竊	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT2907ALT1G	文件：86.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSCT2907ALT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3

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