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NSCT2222ALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT2222ALT1	文件：480.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
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MMBT2222ALT1	文件：43.59 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT2222ALT1isdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,medium-powerswitchingapplications. Features •Highfrequencycurrentgain. •HighSpeedSwitching.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT2222ALT1	文件：39.46 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
MMBT2222ALT1	文件：85.96 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2222ALT1	文件：181.04 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222ALT1	文件：253.59 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT2222ALT1	文件：208.33 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT2222ALT1G	文件：133.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222ALT1G	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SMMBT2222ALT1G	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSCT2222ALT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3

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