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IXTA90N055T	文件：299.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA90N055T	文件：220.7 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP90N055T	文件：220.7 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP90N055T	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP90N055MDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP90N055MUK	文件：112.33 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP90N055VDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VDG	文件：337.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrent	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUK	文件：111.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUK	文件：278.27 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP90N055VUG
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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