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NP90N055VDG-E1-AY	文件：337.27 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrent	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP90N055VDG-E1-AY

文件：337.27 Kbytes

Page：10 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrent

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP90N055VDG-E1-AY
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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