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NP90N03VLG-E2-AY中文资料PDF规格书

NP90N03VLG-E2-AY
厂商型号

NP90N03VLG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

237.33 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 22:59:00

NP90N03VLG-E2-AY规格书详情

Description

The NP90N03VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)

⎯ RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• Low input capacitance

⎯ Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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