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NP83P04PDG-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41.5A) RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41.5A) •Highcurrentrating:I

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NP83P04PDG-E1-AYNote

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP83P04PDG-E1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
TO-252
8866
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Renesas
1822+
TO-263
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TO-263
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
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RENESAS/瑞萨
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TO-263
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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更多NP83P04PDG-E1-AZ供应商 更新时间2024-10-31 15:30:00