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NP82P04PLF-E1-AY	文件：182.52 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A) •Lowinputcapacitance Cis	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP82P04PLF-E1-AY	文件：374.73 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP82P04PLF-E1-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A)

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详细参数

型号：
NP82P04PLF-E1-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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