| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO262 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO262 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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RENESAS/瑞萨TO-262 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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N/A |
58000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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NP82N055NUG-S18-AY中文资料Alldatasheet PDF
更多NP82N055NUG-S18-AY功能描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
