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NP75P03YDG-E1-AY

文件：233.61 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP75P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=6.2mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−37.5A) •LowCiss:Ciss=3200pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •

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