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NP74N04YUG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP74N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=37.5A) •LowCiss:Ciss=3620pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappl

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多NP74N04YUG-E1-AY供应商 更新时间2024-5-25 8:40:00