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NP160N04TUJ-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP160N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) •LowCiss:Ciss=6900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP160N04TUJ-E2-AY

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANSISTOR

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NP160N04TUJ-E2-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    160A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

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更多NP160N04TUJ-E2-AY供应商 更新时间2024-6-7 8:23:00