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NP109N04PUG	文件：235.02 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP109N04PUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •HighcurrentratingID(DC)=±110A	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP109N04PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP109N04PUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP109N04PUJ	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP109N04PUK	文件：917.26 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description NP109N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mMAX.(VGS=10V,ID=55A) ･LowCissCiss=7200pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP109N04PUK	文件：234.32 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP109N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •LowCiss:Ciss=7200pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多NP109N04PUG低压MOS管供应商更新时间2024-5-17 16:13:00

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