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NP100P06PDG中文资料PDF规格书

NP100P06PDG
厂商型号

NP100P06PDG

功能描述

-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

文件大小

1.35852 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 16:37:00

NP100P06PDG规格书详情

Description

This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

 Super low on-state resistance : RDS(on) = 6.0 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A )

RDS(on) = 7.8 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A )

 Low input capacitance : Ciss = 15000 pF Typ.

 Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.

 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

产品属性

  • 型号:

    NP100P06PDG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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