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NP100P04PDG-E1-AYNote	文件：300.3 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PDG-E1-AY	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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NP100P04PDG-E1-AYNote

文件：300.3 Kbytes

Page：9 Pages

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP100P04PDG-E1-AY

文件：190.95 Kbytes

Page：7 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

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更多NP100P04PDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2024-5-22 11:00:00

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