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NJW21193G	文件：3.7245 Mbytes Page：6 Pages	200 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Type Power Transistor DESCRIPTION ·WithTO-3PB-SQpkg ·ComplementtotypeNJW21194G APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor150Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
NJW21193G	文件：95.92 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJW21193G	文件：123.39 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJW21193G	文件：263.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NJW21193G_13	文件：123.39 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJW21193G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193	文件：173.47 Kbytes Page：6 Pages	16amperecomplementarysiliconpowertransistors250volts250watts SiliconPowerTransistors TheMJ21193andMJ21194utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain–hFE=25Min@IC=8Adc •Excel	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ21193	文件：173.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS SiliconPowerTransistors TheMJ21193(PNP)andMJ21194(NPN)utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain−hFE=25Mi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193	文件：112.61 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ21194 •Excellentgainlinearity APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ21193	文件：73.54 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193	文件：216.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain •HighAreaofSafeOperation APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ21193	文件：163.56 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ21193	文件：128.229 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors16AMPCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193G	文件：128.229 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors16AMPCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ21193G	文件：570.87 Kbytes Page：5 Pages	250WattSiliconTypeMetalPackagePowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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MJ21193G	文件：163.56 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJL21193	文件：122.36 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
NJW21193G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 8A，5V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P-3L
描述：
TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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