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AD6426	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6426XB	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6426XST	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN6426NK	文件：127.84 Kbytes Page：9 Pages	Hands-freeSpeechNetworkIC ■Features •Incorporatesallthefunctionsrequiredofahands-free telephone. •Incorporatesallthefunctionsrequiredofahandset. •ComplieswithACandDCimpedancerequirements. •Providesawidedynamicrange. •Anoisedetectingcircuitpreventsinadvertenttransmission. •Operati	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AON6426	文件：112.42 Kbytes Page：1 Pages	DFN5X6PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6426L	文件：112.42 Kbytes Page：1 Pages	DFN5X6PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6426L	文件：139.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON6426LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=30V ID=24A(VGS=	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CEA6426	文件：1.77573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel0-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitchesforPortableDevices	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEA6426	文件：417.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEA6426	文件：620.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.6A,RDS(ON)=90mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED6426	文件：351.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED6426	文件：451.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：600.94 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：415.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.7A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET6426	文件：409.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6426	文件：425.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,34A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6426	文件：351.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6426	文件：451.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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详细参数

型号：
NJU6426C
功能描述：
LCD 驱动器 8ch/4L LCD Cntlr
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数位数量：
4.5
片段数量：
30
最大时钟频率：
19 KHz
工作电源电压：
3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 20 C
封装/箱体：
PDIP-40
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	NJU6426C	JRC	6000	面议	19	DICE芯片	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NJU6426C-02	JRC	23+	SMD	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	NJU6426C-02	JRC	24+	NA	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NJU6426C-02	JRC	22+23+	DICE	18975	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳兆威电子有限公司	NJU6426C-02	JRC	22+	NA	156487	原装正品现货,可开13个点税	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NJU6426C-02	JRC	20+	CDIE	62300	原装现货/放心购买	询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	NJU6426C-02	JRC	21+	CDIE	16500	进口原装正品现货	询价
深圳市晴轩时代电子有限公司	NJU6426C-02	JRC	21+	CDIE	96974	公司只做原装正品	询价
深圳庞田科技有限公司	NJU6426C-02	NJR	2023+环保现货	LCD驱动器8ch/4L	2500	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	NJU6426C-02	JRC/新日本无线	NA		98000		询价

更多NJU6426C供应商更新时间2024-5-31 10:58:00

详细参数

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