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NJM4559E	文件：80.83 Kbytes Page：2 Pages	DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
4559	文件：1.77742 Mbytes Page：148 Pages	SINGLE-CHIP4-BITCMOSMICROCOMPUTER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACE4559P	文件：613.62 Kbytes Page：15 Pages	150mASingleCellLi-ionBatteryCharger,0.1mATermination,45nABatteryleakageCurrent	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AZ4559	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZ4559M	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZ4559MTR	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZ4559P	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
CHM4559JPT	文件：320.26 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE60VoltsCURRENT4.5Ampere P-channel:VOLTAGE60VoltsCURRENT3.5Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *S	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJQ4559	文件：1.60056 Mbytes Page：6 Pages	NChannelPChannelMosfet	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CTP4559	文件：60.1 Kbytes Page：1 Pages	ToroidalInductorsMediumCurrent	FILTRAN FILTRAN Group	FILTRAN
FDS4559	文件：147.37 Kbytes Page：8 Pages	60VComplementaryPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 4.5A,60V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4559-NL	文件：1.18676 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FTK4559	文件：682.49 Kbytes Page：5 Pages	SuperHighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
JRC4559	文件：56.4 Kbytes Page：2 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
KDS4559	文件：78.86 Kbytes Page：3 Pages	60VComplementaryPowerTrenchMOSFET Features ●N-Channel 4.5A,60VRDS(ON)=55m@VGS=10V RDS(ON)=75m@VGS=4.5V ●P-Channel -3.5A,-60VRDS(ON)=105m@VGS=-10V RDS(ON)=135m@VGS=-4.5V	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI4559EY	文件：58.16 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel60-V(D-S),175MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KIA4559F	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA4559P	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA4559S	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LM4559F	文件：380.48 Kbytes Page：20 Pages	LowNoiseOperationalAmplifier	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
NJM4559E
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual High Gain
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NJM4559E供应商更新时间2024-6-15 11:09:00

详细参数

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