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NI9922	文件：136.17 Kbytes Page：3 Pages	Protection from harsh outdoor or industrial environments	NI National Instruments Inc.	NI
9922BP	文件：92.87 Kbytes Page：1 Pages	Series99짰BallpointAllen짰HexSocketScrewBlade	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AE9922	文件：54.09 Kbytes Page：1 Pages	IEEE1394,FORPCBMOUNTING	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
AEAT-9922	文件：2.04023 Mbytes Page：25 Pages	10-Bitto18-BitProgrammableAngularMagneticEncoderICforOn-andOff-AxisApplications Description TheBroadcom®AEAT-9922isanangularmagneticrotary sensorthatprovidesaccurateangularmeasurementovera full360degreesofrotation. ItisasophisticatedsystemthatusesintegratedHallsensor elementswithcomplexanaloganddigitalsignalprocessing withinasinglede	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
AP9922AGEO-HF	文件：63.37 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8VGateDrive,OptimalDC/DCBatteryApplication	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9922EO	文件：95.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9922GEO-HF	文件：102.28 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8VGateDrive,OptimalDC/DCBatteryApplication	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM9922K	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM9922KC-TR	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM9922KC-TRL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM9922KC-TU	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM9922KC-TUL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
DMBT9922	文件：52.38 Kbytes Page：1 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •ComplementtoDMBT9022	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMDT9922	文件：60.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPDUAL,MATCHEDPAIRSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowNoise •HighCurrentGain •MatchedPairofTransistors	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FC9922	文件：750.84 Kbytes Page：8 Pages	3-PinSwitch-ModeLEDLampDriverIC	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GC9922	文件：215.66 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodesTMForMixersandDetectors DESCRIPTION SchottkyBarrierdevicesarecurrentlyavailableinsinglebeamlead,dual“T”,ringquadandbridgequadconfigurations.Devicesareavailableinmonolithicformforhybridapplicationsaswellasinhermeticornon-hermeticpackages.Monolithicdevicesarerecommendedforhighestfre	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSS9922E	文件：263.21 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTC9922E	文件：276.54 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9922E	文件：274.26 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9922Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive OptimalDC/DCbatteryapplication Surfacemountpackage	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HEDS-9922EVB	文件：2.04023 Mbytes Page：25 Pages	10-Bitto18-BitProgrammableAngularMagneticEncoderICforOn-andOff-AxisApplications Description TheBroadcom®AEAT-9922isanangularmagneticrotary sensorthatprovidesaccurateangularmeasurementovera full360degreesofrotation. ItisasophisticatedsystemthatusesintegratedHallsensor elementswithcomplexanaloganddigitalsignalprocessing withinasinglede	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM

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详细参数

型号：
NI9922
制造商：
NI
制造商全称：
National Instruments Corporation
功能描述：
Protection from harsh outdoor or industrial environments

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	NIA128PA	BB	05+	原厂原装	3654	全新原装绝对有货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NIA15/20EM-T47H004	TDKCorpor	23+	NA	22485	专做原装正品,假一罚百!	询价
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