首页>NGTB30N120IHLWG>规格书详情

NGTB30N120IHLWG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB30N120IHLWG
厂商型号

NGTB30N120IHLWG

参数属性

NGTB30N120IHLWG 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 30A TO247

功能描述

IGBT
IGBT 1200V 30A TO247

文件大小

162.73 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-18 17:18:00

NGTB30N120IHLWG规格书详情

NGTB30N120IHLWG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB30N120IHLWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB30N120IHLWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/360ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PTIF
22+/23+
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
ON
22+
TO-247
10000
询价
ON原厂
TO247
90000
公司集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-
询价
ON Semiconductor
23+
TO247
9000
原装正品,支持实单
询价
ON原厂
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
询价
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-247-3
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
PTIF
2310+
SOP/DIP
3699
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
询价
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原厂渠道,现货配单
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价