| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ON/安森美TO263 |
189000 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/LITTELFUSE货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-263 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美D2PAK3LEAD |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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ONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ONTO263 |
4500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONTO263 |
12733 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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ONTO263 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ONTO-263 |
282 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
11256 |
2018+ |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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ON/LITTELFUSETO-263 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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ONTO-263 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ON/安森美 |
10000 |
19+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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OND2PAK3LEAD |
8137 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263 |
12580 |
24+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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NGB8202ANT4G价格
NGB8202ANT4G价格：￥5.2391品牌：ON
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更多NGB8202ANT4G功能描述:IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NGB8202N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT
NGB8202N_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT
NGB8202NT4功能描述:IGBT 晶体管 20A 400V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NGB8202NT4G功能描述:IGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
