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NESG270034分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NESG270034 |
| 参数属性 | NESG270034 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) |
| 文件大小 |
349.47 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-18 23:00:00 |
NESG270034规格书详情
NESG270034属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NESG270034晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NESG270034-T1-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
9.2V
- 功率 - 最大值：
1.9W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
750mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
3-PowerMiniMold
- 描述：
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
928 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
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SOT-89 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT-89 |
880000 |
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RENESAS |
2021 |
SOT89 |
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RENESAS/瑞萨 |
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NEC |
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RENESAS/瑞萨 |
SOT-89 |
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RENESAS/瑞萨 |
SOT89 |
7906200 |
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NEC(VA) |
23+ |
原厂封装 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT89 |
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询价 |
