首页 >NESG260234-T1-A>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

NESG260234-T1-AZ

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(1W)amplification Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=15dBm,f=460MHz Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=900MHz •MSG(MaximumStableGain)=23dBTYP.@VCE=6V,Ic=100mA,f=460MHz •UsingUHS2-HVpr

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG260234-T1-AZ

包装:托盘 封装/外壳:TO-243AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:TRANS NPN 460MHZ SOT-89

CEL

California Eastern Laboratories

NESG260234-T1

3-PINPOWERMINIMOLD

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG260234-T1

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

NESG260234-T1

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(1W)amplification Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=15dBm,f=460MHz Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=900MHz •MSG(MaximumStableGain)=23dBTYP.@VCE=6V,Ic=100mA,f=460MHz •UsingUHS2-HVpr

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NESG260234-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    9.2V

  • 功率 - 最大值:

    1.9W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    600mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    3-PowerMiniMold

  • 描述:

    TRANS NPN 460MHZ SOT-89

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
SOT89
30000000
原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上
询价
NEC
2016+
SOT89
6523
只做进口原装现货!假一赔十!
询价
NEC
2016+
SOT89
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
NEC
07+/08+
SOT-89
3000
询价
NEC
2021+
SOT89
7000
百分百原装正品
询价
Renesas
23+
NA
10658
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553
询价
RENESA
13+
SOT-89
6000
绝对原装自己现货
询价
NEC
2020+
SOT89
13300
公司主营品牌,全新原装现货超低价!
询价
NEC
2023+
SOT89
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
NEC
21+
SOT89
35200
一级代理/放心采购
询价
更多NESG260234-T1-A供应商 更新时间2024-5-2 10:16:00