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NESG2107M33-T3-A分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NESG2107M33-T3-A |
| 参数属性 | NESG2107M33-T3-A 封装/外壳为3-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD |
| 功能描述 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件大小 |
302.97 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-29 9:17:00 |
NESG2107M33-T3-A规格书详情
NESG2107M33-T3-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NESG2107M33-T3-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NESG2107M33-T3-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
10GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
- 增益：
7dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
130mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
3 针 SuperMiniMold（M33）
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
M33 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOT23 |
4308 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
2007 |
M33 |
1400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
2022 |
M33 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
RENESAS |
22+ |
SOT23 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
SOT23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
M33 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
NEC |
2007 |
M33 |
1500 |
全新原装 实单必成 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT723 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
