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NE93339-T2

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NE93339-T2

NE93339-T2

详细参数

  • 型号：

    NE93339-T2

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY CEL 7/01 GEN PURP DUAL GATE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市近平电子有限公司
NE93Q92N
PHILIPS
6000
面议
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深圳市一线半导体有限公司
NE94430
3000
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深圳市力通伟业半导体有限公司
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SOT323
120000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
NE94430
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SOT323
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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深圳市创新迹电子有限公司
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SOT323
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NE94430-T1
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SOT323
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深圳市威尔健半导体有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市安富世纪电子有限公司
NE94430-T1
NEC
21+
SOT323
50000
全新原装正品现货,支持订货
 询价
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