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NE85630-T1分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE85630-T1 |
| 参数属性 | NE85630-T1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-19 23:00:00 |
NE85630-T1规格书详情
NE85630-T1属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE85630-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NE85630-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
- 增益：
6dB ~ 12dB
- 功率 - 最大值：
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SOT-323
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
9250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
SOT323 |
6000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
SOT-323 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
SOT-323 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
07+/08+ |
SOT-323 |
7500 |
询价 | |||
NEC |
22+ |
SOT-323 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
SOT323 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT323 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
SOT-323 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
