NE8500199中文资料PDF规格书
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DESCRIPTION
The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.
NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.
The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)
NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
FEATURES
• Class A operation
• High power output
• High reliability
产品属性
- 型号：
NE8500199
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
2022+ |
SOT-363 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
1742+ |
SOT423 |
98215 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
15200 |
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询价 | ||
RENESAS |
SOT423 |
68900 |
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询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT423 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NECELECTRON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
NEC |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||||
CEL |
17+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
