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NE76118-T1中文资料PDF规格书

NE76118-T1
厂商型号

NE76118-T1

功能描述

GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

文件大小

32.58 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 22:49:00

产品属性

  • 型号:

    NE76118-T1

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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