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NE68819

NONLINEAR MODEL

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE68819-T1

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE688seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigures,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NE688slowphasenoisedistortionandhighfTmakeita

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE68819-T1-A

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

NE68819-A

包装:卷带(TR) 封装/外壳:SOT-523 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

CEL

California Eastern Laboratories

NE68819-T1

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:SOT-523 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

CEL

California Eastern Laboratories

NE68819-T1-A

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:SOT-523 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    NE68819

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
SOT423
7906200
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RENESAS/瑞萨
23+
SOT-423
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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NEC
13+
SOT423
36000
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RENESAS/瑞萨
SOT-423
90000
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NEC
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23+
SOT-423
63000
原装正品现货
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更多NE68819供应商 更新时间2024-5-2 17:06:00