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NE58219-A

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION TheNE58219/2SC5004isalowsupplyvoltagetransistordesignedforUHFOSC/MIX. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedultrasuperminimoldpackage. FEATURES •HighfT:5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •

CEL

California Eastern Laboratories

NE58219

NECsNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR3PINSULTRASUPERMINIMOLD

DESCRIPTION NECsNE58219isalowsupplyvoltagetransistordesignedforUHFMixerandoscillatorapplications.The3pinultrasuperminimoldpackagemakesthisdeviceideallysuitedforhighdensitysurfacemountassembly. FEATURES •HIGHfT:5GHzTYPatVCE=5V,IC=5mA,f=1GHz •

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE58219

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR3PINSULTRASUPERMINIMOLD

DESCRIPTION TheNE58219/2SC5004isalowsupplyvoltagetransistordesignedforUHFOSC/MIX. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedultrasuperminimoldpackage. FEATURES •HighfT:5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    NE58219-A

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN UHF Mixer/Osc

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

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更多NE58219-A供应商 更新时间2024-6-10 8:30:00