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NE5550779A-T1A-A中文资料PDF规格书

NE5550779A-T1A-A
厂商型号

NE5550779A-T1A-A

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

文件大小

3.20669 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 11:36:00

NE5550779A-T1A-A规格书详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

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