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NE52418-T1中文资料PDF规格书

NE52418-T1
厂商型号

NE52418-T1

参数属性

NE52418-T1 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD

功能描述

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

231.33 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-12 20:00:00

NE52418-T1规格书详情

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER

NPN GaAs HBT

DESCRIPTION

The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile

communication equipment.

FEATURES

• Ideal for low noise and high gain amplifiers

NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZL = 50 W)

IIP3 = +8 dBm TYP. (@ VCE = 2.5 V, IC = 8 mA, f = 2 GHz, 1 tone, ZS = ZL = Zopt)

• 4-pin super minimold package employed (SOT-343 style)

• Grounded emitter transistor

APPLICATIONS

• Mobile communication terminals and other L to S band microwave communication applications

产品属性

  • 产品编号:

    NE52418-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB ~ 16dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 3mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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SOT-343
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