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NE46234-T1-AZ	文件：163.77 Kbytes Page：7 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD DESCRIPTION TheNE46234/2SC4703isdesignedforlowdistortion,lownoiseRFamplifieroperatingwithlowsupplyvoltage(VCE=5V).ThislowdistortioncharacteristicmakesitsuitableforCATV,tele-communicationandotheruse.Itemployssurfacemounttypeplasticpackage,powerminimold(	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE46234-T1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89	CEL California Eastern Laboratories	CEL

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NE46234-T1-AZ

文件：163.77 Kbytes

Page：7 Pages

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD

DESCRIPTION TheNE46234/2SC4703isdesignedforlowdistortion,lownoiseRFamplifieroperatingwithlowsupplyvoltage(VCE=5V).ThislowdistortioncharacteristicmakesitsuitableforCATV,tele-communicationandotheruse.Itemployssurfacemounttypeplasticpackage,powerminimold(

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

NE46234-T1-AZ

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

产品属性

产品编号：
NE46234-T1-AZ
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2.3dB @ 1GHz
增益：
8.3dB
功率 - 最大值：
1.8W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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