NE3508M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 RENESAS/瑞萨

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1+	面议

厂家型号：
NE3508M04-T2-A
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
17
产品封装：
SOT-343
生产批号：
14+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 16:00:00

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详细信息
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原厂料号：NE3508M04-T2-A品牌：RENESAS/瑞萨

NE3508M04-T2-A是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商RENESAS/瑞萨/CEL生产封装SOT-343/SOT-343F的NE3508M04-T2-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
NE3508M04-T2-A
规格书：
下载下载2
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Laboratories
内容页数：
11 页
文件大小：
1293.2 kb
资料说明：
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
NE3508M04-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
HFET
频率：
2GHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
120mA
噪声系数：
0.45dB
功率 - 输出：
18dBm
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
F4TSMM，M04
描述：
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

供应商

企业：
深圳市吉银科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
张小姐
手机：
13923865272
询价：
电话：
0755-82573312
传真：
0755-61257706
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场C座21F

NE3508M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 RENESAS/瑞萨

NE3508M04-T2-A

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