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NE25339-T1

文件：48.5 Kbytes

Page：6 Pages

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号：

    NE25339-T1

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY CEL 7/01 SOT-143 DL GT MESFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

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