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BFP182T	文件：93.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lowpowerapplications •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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BFP182W	文件：77.77 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP182W	文件：58.96 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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BFP182W	文件：551.25 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：618.78 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：133.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：71.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR182	文件：79.13 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：236.8 Kbytes Page：3 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=12V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=10mA	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR182T	文件：70.17 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
NE182AEEFED
制造商：
ITT
功能描述：
NEW

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更多NE182AEEFED供应商更新时间2024-6-6 16:08:00

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